Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"device variability"'
Publikováno v:
Novelty in Clinical Medicine, Vol 2, Iss 2, Pp 62-68 (2023)
Background: Multiple head skin prick test (SPT) devices designed for percutaneous allergy testing suffer from intra-head device variability, which may lead to misinterpretations by testing physicians impacting allergy treatment. It is proposed that d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1b56351c175a4422affcc339ff065bd5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 469-475 (2021)
The gate-all-around nanowire FET (GAA NW FET) is one of the most promising architectures for the next generation of transistors as it provides better performance than current mass-produced FinFETs, but it has been proven to be strongly affected by va
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c8d9fa3f5d749119a32eb57395a7c4a
Autor:
Juan Cuesta-Lopez, Alejandro Toral-Lopez, Enrique G. Marin, Francisco G. Ruiz, Francisco Pasadas, Alberto Medina-Rull, Andres Godoy
Publikováno v:
Chemosensors, Vol 11, Iss 1, p 57 (2023)
Two-dimensional material (2DM)-based Field-Effect Transistors (FETs) have been postulated as a solid alternative for biosensing applications thanks to: (i) the possibility to enable chemical sensitivity by functionalization, (ii) an atomically thin a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/492197a62a894051a7606fdc3e8e3444
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Modeling the active device is a key step for the successful statistical analysis of power amplifiers: the nonlinear model must not only depend on the most relevant device fabrication parameters, but should also work accurately in source/load-pull ana
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5cda2b5762184cc88d99b435c3e3586
http://hdl.handle.net/11583/2842626
http://hdl.handle.net/11583/2842626
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.