Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"device geometry"'
Publikováno v:
Bioengineering, Vol 11, Iss 11, p 1122 (2024)
To develop a safer bone-bonding device that promotes early osseointegration with cortical bone perforation, novel subperiosteal device geometries were proposed and evaluated for their ability to facilitate surrounding bone formation and enhance bone-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e077452669a84d2e8a0b7237bf0999a6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Magnetochemistry, Vol 9, Iss 11, p 223 (2023)
Here, we examine the conductance changes associated with the change in spin state in a variety of different structures, using the example of the spin crossover complex [Fe(H2B(pz)2)2(bipy)] (pz = (pyrazol-1-yl)-borate and bipy = 2,2′-bipyridine) an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b269fa5a11b14ea2acdeea9284c602f9
Autor:
Bergillos, Rafael J. a, *, Rodriguez-Delgado, Cristobal b, c, Allen, James b, Iglesias, Gregorio d, b
Publikováno v:
In Science of the Total Environment 10 June 2019 668:1232-1241
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 18, p 4947 (2020)
This study aimed to develop a new concept for an air terminal device for a VAV (variable air volume) ventilation system that would improve overall ventilation efficiency under a varying air supply volume. In VAV systems, air volume is modified accord
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beddcf8626834160a623a66e4106fced
Autor:
JongBong Nah, Frank Keith Perkins, Evgeniya H. Lock, Anindya Nath, Anthony Boyd, Rachael L. Myers-Ward, David Kurt Gaskill, Michael Osofsky, Mulpuri V. Rao
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 1183, p 1183 (2022)
Sensors; Volume 22; Issue 3; Pages: 1183
Sensors; Volume 22; Issue 3; Pages: 1183
Chemiresistive graphene sensors are promising for chemical sensing applications due to their simple device structure, high sensitivity, potential for miniaturization, low-cost, and fast response. In this work, we investigate the effect of (1) ZnO nan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5a72262d0d21dbc6cc70cff3f153fac
https://www.mdpi.com/1424-8220/22/3/1183
https://www.mdpi.com/1424-8220/22/3/1183
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics July-August 2006 50(7-8):1219-1226
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.