Zobrazeno 1 - 10
of 404
pro vyhledávání: '"depletion mode"'
Publikováno v:
Journal of Information Display, Pp 1-8 (2024)
This paper proposes a novel metal–oxide (MOx) thin-film transistors (TFT)-based scan driver circuit with a DC power-supplied buffer. This circuit has two parts: a ‘carry generation block (CGB)’ and an ‘output generation block (OGB).’ The CG
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2e67f8f21aff496783fe428e49c4b870
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 11, p 1330 (2024)
This paper presents a low power emission (EM) pulse generation circuit using n-type amorphous In-Ga-Zn-Oxide (a-IGZO) semiconductor thin-film transistors (TFTs). The low power consumption is achieved by avoiding the shoot-through current paths throug
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cbf0a7df23b14fd8b61f72b8bf4f9e05
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 167-173 (2023)
High temperature operation of enhancement-mode (E-mode) and depletion-mode (D-mode) AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) was demonstrated. By using the circular device structure, off-state current was
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d738a1ee438d40aaa1efdeb0815b5182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salvatore Musumeci, Vincenzo Barba
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 9, p 3894 (2023)
High-electron-mobility transistors based on gallium nitride technology are the most recently developed power electronics devices involved in power electronics applications. This article critically overviews the advantages and drawbacks of these enhan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c53b240754d04aac9013d491280e6b15
Publikováno v:
مجله مدل سازی در مهندسی, Vol 18, Iss 62, Pp 43-56 (2020)
A comprehensive model is developed for a MOS capacitor implemented using an n-channel depletion-mode MOSFET fabricated in a submicron CMOS technology, which accounts for the voltage dependence of the MOS capacitance over the entire range of operating
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16424d03ee564bf7a70965a82e6052dc
Autor:
Jongsu Oh, Kyung-Mo Jung, Eun Kyo Jung, Jungwoo Lee, Soo-Yeon Lee, Keechan Park, Jae-Hong Jeon, Yong-Sang Kim
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 67-73 (2020)
This paper introduces novel driving methods of the pull-down unit in a gate driver circuit for enhancement- and depletion-mode a-IGZO thin-film transistors (TFTs). The proposed gate driver circuit can achieve uniform output characteristics and effect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49d327893be84abab24693acbd6d2558
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.