Zobrazeno 1 - 10
of 1 801
pro vyhledávání: '"deep levels"'
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 10, Iss , Pp 100815- (2024)
In this article, the physical properties of the surface of the CdS/Si(p) material under the influence of a magnetic field were studied . The dependence of the density of surface states of the p-type Si(p) semiconductor on the magnetic field and tempe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d2f491558f034f25a990fa1b68947e9c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Influence of impurities and structural defects on the properties of CdTe- and CdZnTe-based detectors
Autor:
Kondrik A. I., Kovtun G. P.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-3, Pp 31-38 (2022)
The most researched materials for uncooled semiconductor detectors of ionizing radiation are CdTe:Cl and Cd0.9Zn0.1Te, which allow to obtain detectors with high values of resistivity ρ and electron mobility. In the process of producing detector mate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86d78f4bee914fa49f35662a19de73e0
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 10, p 4795 (2023)
In radiation detectors, the spatial distribution of the electric field plays a fundamental role in their operation. Access to this field distribution is of strategic importance, especially when investigating the perturbing effects induced by incident
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/103f0ef2ff014e3ab15a68a1b6517144
Autor:
Kondrik A. I., Kovtun G. P.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-2, Pp 22-29 (2020)
A promising material for semiconductor detectors of ionizing radiation is CdTe:Cl which allows obtaining detectors with high resistivity ρ and electron mobility μn. During operation, the detector materials may be exposed to neutron irradiation, whi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78d0f5e33a8146e6ba25507355974945
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kondrik A. I., Kovtun G. P.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5-6, Pp 43-50 (2019)
Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this stud
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/accdc667098240b3b120ac01ee2199eb