Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"deep etching of silicon"'
Autor:
Hladkovskyi V. V., Fedorovich O. A.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4-5, Pp 40-44 (2017)
The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13dd9ee241494fc0ae49bce848d34317
Autor:
V. V. Hladkovskyi, O. A. Fedorovich
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4-5, Pp 40-44 (2017)
The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5bfbb1ef2db31436c7f3e1f6cc9d1ad9
https://doi.org/10.15222/tkea2017.4-5.40
https://doi.org/10.15222/tkea2017.4-5.40
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.