Zobrazeno 1 - 10
of 2 800
pro vyhledávání: '"deep energy levels"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Scripta Materialia 2011 64(7):653-656
Publikováno v:
2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia).
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2020 ELEKTRO.
In this paper we present description of the developed current DLTS spectrometer to investigate deep energy levels in barrier structures based on crystalline and non-crystalline semiconductors with large rectifying junction area and high leakage curre
Autor:
Carbone, A., Mazzetti, P.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 8/1/1996, Vol. 80 Issue 3, p1559. 8p. 6 Graphs.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. Jan2009, Vol. 105 Issue 1, p014912. 5p. 1 Diagram, 4 Graphs.
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 54:335103
Studies of the deep energy levels and nonradiative carrier capture induced by sulfur doping in silicon were initiated 60 years ago; however, the defect configurations, their deep energy levels, and the carrier capture cross sections are still not wel