Zobrazeno 1 - 10
of 191
pro vyhledávání: '"de Marneffe, J. F."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krishtab, M., de Marneffe, J.-F., Armini, S., Meersschaut, J., Bender, H., Wilson, C., De Gendt, S.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 August 2019 485:170-178
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 May 2019 476:317-324
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Y. Z., Wang, Z., Lu, X. F., Wen, H. H., de Marneffe, J. F., Deltour, R., Jansen, A. G. M., Wyder, P.
Publikováno v:
PRB 71, 052502 (2005)
Resistive transitions of an epitaxial Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ thin film were measured in various magnetic fields ($H\parallel c$), ranging from 0 to 22.0 T. Rounded curvatures of low resistivity tails are observed in Arrhenius plot and con
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0408555
Autor:
Zhang, Y. Z., Deltour, R., Wen, H. H., de Marneffe, J. F., Chen, H., Wang, S. F., Dai, S. Y., Zhou, Y. L., Li, Q., Jansen, A. G. M., Wyder, P., Zhao, Z. X.
Magneto-resistivity of a c-axis oriented MgB$_{2}$ thin film was studied in perpendicular and parallel magnetic fields up to $\sim $23 T with temperatures down to 0.38 K. Resistive critical magnetic fields were determined. Large separations between i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0110312
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Asanovski, R., Arimura, H., de Marneffe, J.-F., Palestri, P., Horiguchi, N., Kaczer, B., Selmi, L., Franco, J.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 2024, Vol. 71 Issue: 3 p1745-1751, 7p