Zobrazeno 1 - 10
of 649
pro vyhledávání: '"dc and rf performances"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2019 158:11-15
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hao, H. L.1, Su, M. Y.1, Wu, H. T.1, Mei, H. Y.1, Yao, R. X.1, Liu, F.1, Wen, H.1, Sun, S. X.1 sunshuxianga@126.com
Publikováno v:
Journal of Ovonic Research. May/Jun2022, Vol. 18 Issue 3, p411-419. 9p.
Autor:
Kalita, Sanjib1 (AUTHOR) sanjib.kalita25@gmail.com, Dutta, Avrajyoti2 (AUTHOR), Mukhopadhyay, Subhadeep2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Feb2021, Vol. 53 Issue 2, p1-14. 14p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1264-1269 (2019)
We have investigated the self-heating effect on DC and RF performances of identically fabricated AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond (GaN/Dia) and Si (GaN/Si) substrates. Self-heating induced device performances were extracted at different values drain bi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62b6f1a3d7c94c73b907b64325a9ff8c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.