Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"dc and rf performance"'
Autor:
Doğan Yılmaz, Oğuz Odabaşı, Gurur Salkım, Emirhan Urfali, Büşra Çankaya Akoğlu, Ekmel Özbay, Şemsettin Altındal
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology
In this study, an enhancement-mode (E-mode) GaN high electron mobility transistor (HEMT) with lateral tri-gate structure field effect transistor (FinFET) is proposed. To passivate the fin width, while keeping the normally-off performance of the FinFE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f2a9ab88f94e1cb1b30d3bd6ddc9ef0d
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/2a6dcf98-32a2-4b10-a5e1-f9451ca7f007/oai
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/2a6dcf98-32a2-4b10-a5e1-f9451ca7f007/oai
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Engineering Research Express
The effects of gate post-metal annealing (PMA) on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) were investigated. The unannealed and post gate-metal annealed AlGaN/GaN HEMTs were fully fabricated using NANOTAM
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::04808598b5f90a098651ebf7c4816135
https://doi.org/10.1088/2631-8695/aca95f
https://doi.org/10.1088/2631-8695/aca95f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Walter Ciccognani, Ernesto Limiti, Sergio Colangeli, Claudio Verona, Marco Marinelli, Gianluca Verona-Rinati
We report on a comparative study of transfer doping of hydrogenated single crystal diamond surface by insulators featured by high electron affinity, such as Nb2O5, WO3, V2O5, and MoO3. The low electron affinity Al2O3 was also investigated for compari
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76500c99250a62c31b9fba7eb39446ef
http://hdl.handle.net/2108/160108
http://hdl.handle.net/2108/160108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gennaro Conte, Ernesto Limiti, B Pasciuto, Walter Ciccognani, P. Calvani, Maria Cristina Rossi
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon.
On the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4e6b67b4d24dac8788b3626b67a52d45
https://doi.org/10.1109/ulis.2009.4897586
https://doi.org/10.1109/ulis.2009.4897586
Autor:
S. Carta, S. Lavanga, Ernesto Limiti, P. Calvani, Maria Cristina Rossi, F. Sinisi, E. Giovine, A. Corsaro, Gennaro Conte, Marco Girolami, V. G. Ralchenko, Daniele M. Trucchi
Publikováno v:
Diamond and related materials 18 (2009): 786–788. doi:10.1016/j.diamond.2009.01.014
info:cnr-pdr/source/autori:Calvani P. 1; Corsaro A. 1; Girolami M. 1; Sinisi F. 1; Trucchi D.M. 1-6; Rossi M.C. 1; Conte G. 1; Carta S. 2; Giovine E. 2; Lavanga S. 3; Limiti E. 4; Ralchenko V. 5/titolo:DC and RF performance of surface channel MESFETs on H-terminated polycrystalline diamond/doi:10.1016%2Fj.diamond.2009.01.014/rivista:Diamond and related materials/anno:2009/pagina_da:786/pagina_a:788/intervallo_pagine:786–788/volume:18
info:cnr-pdr/source/autori:Calvani P. 1; Corsaro A. 1; Girolami M. 1; Sinisi F. 1; Trucchi D.M. 1-6; Rossi M.C. 1; Conte G. 1; Carta S. 2; Giovine E. 2; Lavanga S. 3; Limiti E. 4; Ralchenko V. 5/titolo:DC and RF performance of surface channel MESFETs on H-terminated polycrystalline diamond/doi:10.1016%2Fj.diamond.2009.01.014/rivista:Diamond and related materials/anno:2009/pagina_da:786/pagina_a:788/intervallo_pagine:786–788/volume:18
DC and RF performance of submicron gate-length metal–semiconductor field effect transistors (MESFETs) fabricated on hydrogen-terminated polycrystalline diamond is investigated in detail for different material electronic quality (grain size in the r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c0bae8e14d360228a789d9711670bf69
https://hdl.handle.net/11590/142476
https://hdl.handle.net/11590/142476