Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"czochralsky method"'
Autor:
S. A. Guretskii, I. M. Kolesova, A. V. Kravtsov, A. A. Linkevish, K. L. Trukhanava, V. B. Malyutin, V. L. Kolpashikov, S. YU. Yanovsky
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 6, Pp 62-66 (2019)
The aim of this work is to find of the mechanism the determination of optimal temperature-time mode of crystallization during the whole process of β-BaB2O4 crystal growth by modified Czochralski method. The phase diagram of the BaB2O4-Na2O system in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/692a34c8fcb24b7bb4e28ff4cf3bb3d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dmitry A. Zavrazhin, Yuri V. Syrov, Elena V. Zharikova, Svetlana S. Kormilitsina, Roman Yu. Kozlov, Stanislav N. Knyzev, Elena V. Molodtsova
Publikováno v:
Modern Electronic Materials 6(4): 147-153
Modern Electronic Materials, Vol 6, Iss 4, Pp 147-153 (2020)
Modern Electronic Materials, Vol 6, Iss 4, Pp 147-153 (2020)
Thin (100) wafers of single crystal undoped InSb have been strength tested by plane transverse bending. The strength of the wafers (≤ 800 mm in thickness) has been shown to depend on their mechanical treatment type. If the full mechanical treatment
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::17a6f7de116e11759302171d3404778f
https://doi.org/10.3897/j.moem.6.4.64991
https://doi.org/10.3897/j.moem.6.4.64991
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.