Zobrazeno 1 - 10
of 422
pro vyhledávání: '"current spreading"'
Autor:
Bing An, Yukun Wang, Yachao Wang, Zhijie Zou, Yang Mei, Hao Long, Zhiwei Zheng, Baoping Zhang
Publikováno v:
Photonics, Vol 11, Iss 11, p 1012 (2024)
Vertical-cavity surface emitting lasers in UVA band (UVA VCSELs) operating at a central wavelength of 395 nm are designed by employing PICS3D(2021) software. The simulation results indicate that the thickness of the InGaN quantum well and GaN barrier
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/165791e92b524cabb5e4c43b0d1aab03
Autor:
Xiaomeng Fan, Shengrui Xu, Weiguo Liu, Hongchang Tao, Huake Su, Linlin Hu, Jincheng Zhang, Yue Hao
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 51, Iss , Pp 106714- (2023)
In this paper, a method of indium-tin oxide /Graphene /Indium-tin oxide (ITO/Gr/ITO) structure as transparent conductive layer (TCL) to improve the current spreading of ultraviolet light-emitting diodes (UV-LEDs) is reported. The ITO/Gr/ITO structure
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd2fc94177ff4389b3902adb28013c13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 14, Iss 3, Pp 1-6 (2022)
In this paper, a novel kind of GaN light-emitting diode (LED) with P and N discontinuous ohmic contact electrodes and discontinuous current blocking layer (CBL) is designed and prepared. Multiple contact windows under the N- and P-electrodes formed b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f358659d0b644d8abe5332196cffedc
Autor:
Ming-Jie Zhao, Xin-Hao Xu, Mei-Jia Yang, Yu-Yun Lo, Sen-Lin Li, Jing-Feng Bi, Ming-Chun Tseng, Dong-Sing Wuu, Ray-Hua Horng, Hsiao-Wen Zan, Shui-Yang Lien, Wen-Zhang Zhu
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 44, Iss , Pp 106159- (2023)
An omnidirectional reflector (ODR) consisted of (MgF2)/Ag was employed in AlGaInP-based vertical red light-emitting diodes (LEDs) in order to increase the light extraction hence the wall-plug efficiency. In this structure, the dielectric MgF2 layer w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9d19037525974212bcf5c7bacf87fed3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 804-812 (2021)
A detailed structural analysis of 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs with accumulation mode channel is reported in this paper. 1.2 kV SiC MOSFETs with a variety of cell designs were fabricated and compared with respect to the output and transfer characteristics,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/90459cb704784e98baaa02d16284db15