Zobrazeno 1 - 10
of 1 259
pro vyhledávání: '"current gain"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Carsten Strobel, Carlos A. Chavarin, Martin Knaut, Sandra Völkel, Matthias Albert, Andre Hiess, Benjamin Max, Christian Wenger, Robert Kirchner, Thomas Mikolajick
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Hot electron transistors (HETs) represent an exciting new device for integration into semiconductor technology, holding the promise of high‐frequency electronics beyond the limits of SiGe bipolar hetero transistors. With the exploration of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/108e65f3b6a74bc98a7d631b07552e09
Autor:
Kunfeng Zhu, Peijian Zhang, Zicheng Xu, Tao Wang, Xiaohui Yi, Min Hong, Yonghui Yang, Guangsheng Zhang, Jian Liu, Jianan Wei, Yang Pu, Dong Huang, Ting Luo, Xian Chen, Xinyue Tang, Kaizhou Tan, Wensuo Chen
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 30-35 (2023)
Low frequency (LF) noise is a powerful and non-destructive technique for evaluating the oxide-semiconductor interface and an effective evaluating tool in characterizing electronic device’s structure and reliability. In this study, we present a syst
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/94d4e4dddf4447698a346b49f0219f0a
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 144382-144392 (2020)
This paper presents a new concept of a capacitance multiplier using the topology of differential voltage buffer and current conveyor, where the capacitor is connected to the current input terminal. The presented topology overcomes the typical issue k
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f27da66361fc4feb9fbce3ef955b00de
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 6, p 2559 (2023)
Monitoring the temperature of a semiconductor component allows for the prediction of potential failures, optimization of the selected cooling system, and extension of the useful life of the semiconductor component. There are many methods of measuring
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/39482a8804184b448d6e65514fa5dde6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.