Zobrazeno 1 - 10
of 203
pro vyhledávání: '"current aperture vertical electron transistor (CAVET)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 12/1/2004, Vol. 96 Issue 11, p6925-6927. 3p. 1 Diagram, 5 Graphs.
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 709 (2023)
We report that, for the first time, a low-temperature GaN (LT-GaN) layer prepared by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) regrowth was used as a Mg stopping layer (MSL) for a GaN trench current–aperture vertical electron transistor (CA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27ec61e838044cf6bcbb6254a92912ab
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 96:6925-6927
AlGaN∕GaN current aperture vertical electron transistor (CAVET) was fabricated and optimized for band gap selective photoelectrochemical wet etching. The large polarization induced voltage offset (around 2.5–4eV) observed in the first generation
Publikováno v:
Gao, Yan Dr.; Ben-Yaacov, I; Mishra, U K; & Hu, E L. (2004). Optimization of AlGaN/GaN current aperture vertical electron transistor (CAVET) fabricated by photoelectrochemical wet etching. Journal of Applied Physics, 96(11), 6925-6927. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/8527906w
AlGaN/GaN current aperture vertical electron transistor (CAVET) was fabricated and optimized for band gap selective photoelectrochemical wet etching. The large polarization induced voltage offset (around 2.5-4 eV) observed in the first generation CAV
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::b5097bc19e2575ceebc05e9dbfe92812
http://www.escholarship.org/uc/item/8527906w
http://www.escholarship.org/uc/item/8527906w
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 8, p 1273 (2022)
In this article, an innovative GaN-based trench current-aperture vertical electron transistor (CAVET) with a stepped doping microstructure is proposed and studied using Silvaco-ATLAS. According to the simulation and analyzed characteristics, the best
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f8c95373d8194161b448e287619f1a41
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.