Zobrazeno 1 - 10
of 4 277
pro vyhledávání: '"cubic silicon carbide"'
Autor:
Huang, Zifeng, Yang, Yunfan, Sheng, Da, Li, Hui, Wang, Yuxiang, Sun, Zixuan, Li, Ming, Wang, Runsheng, Huang, Ru, Cheng, Zhe
High-purity cubic silicon carbide possesses the second-highest thermal conductivity among large-scale crystals, surpassed only by diamond, making it crucial for practical applications of thermal management. Recent theoretical studies predict that hea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.18843
Publikováno v:
Phys. Rev. B 109, 104112 (2024)
Silicon carbide, a semiconducting material, has gained importance in the fields of ceramics, electronics, and renewable energy due to its remarkable hardness and resistance. In this study, we delve into the impact of nuclear quantum motion, or vibrat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.13733
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Cubic silicon-carbide crystals, known for their high thermal conductivity and in-plane stress, hold significant promise for the development of high-quality ($Q$) mechanical oscillators. Enabling coherent electrical manipulation of long-lived mechanic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.01020
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chem. Phys. 573, 112005 (2023)
Silicon carbide is a hard, semiconducting material presenting many polytypes, whose behavior under extreme conditions of pressure and temperature has attracted large interest. Here we study the mechanical properties of 3C-SiC over a wide range of pre
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.10050
Autor:
Wang, Guobin, Sheng, Da, Yang, Yunfan, Li, Hui, Chai, Congcong, Xie, Zhenkai, Wang, Wenjun, Guo, Jian-gang, Chen, Xiaolong
Silicon carbide (SiC) is an important semiconductor material for fabricating power electronic devices that exhibit higher switch frequency, lower energy loss and substantial reduction both in size and weight in comparison with its Si-based counterpar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.09065
Publikováno v:
In Materials Today Communications June 2024 39
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.