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pro vyhledávání: '"courant tunnel bande à bande"'
Autor:
Rafhay, Quentin
La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-condu
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00398674
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
