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pro vyhledávání: '"courant tunnel bande à bande"'
Autor:
Rafhay, Quentin
La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-condu
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00398674
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
Autor:
Brouzet, Virginie
La demande d’objets connectés dans notre société est très importante, au vu du marché florissant des smartphones. Ces nouveaux objets technologiques ont pour avantage de regrouper plusieurs fonctions en un seul objet ultra compact. Cette diver
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT120/document
Autor:
Abautret, Johan
Cette thèse, réalisée à l'IES en partenariat avec la société SOFRADIR et le CEA-LETI, avait pour objectif d'évaluer les potentialités du matériau InSb pour la réalisation de photodiodes à avalanche (APD) moyen infrarouge (MWIR). Par l'étu
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http://www.theses.fr/2014MON20232