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Autor:
Daubriac, Richard
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018ISAT0031/document
Autor:
Daubriac, Richard
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2018. Français. ⟨NNT : 2018ISAT0031⟩
During the past few decades, the emergence of new architectures (FDSOI, FinFETs or NW-FETs) and the use of new materials (like silicon/germanium alloys) allowed to go further in MOS devices scaling by solving short channel effect issues. However, new
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e6f690db43597a494b3e5b416f74d31c
https://hal.laas.fr/tel-02087031v2/document
https://hal.laas.fr/tel-02087031v2/document
Autor:
Daubriac , Richard
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut national des sciences appliquées de Toulouse, 2018. Français
National audience; During the past few decades, the emergence of new architectures (FDSOI, FinFETs or NW-FETs) and the use of new materials (like silicon/germanium alloys) allowed to go further in MOS devices scaling by solving short channel effect i
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::e9cf836d3d907f777e41f45a4edbcbef
https://hal.laas.fr/tel-02053232/document
https://hal.laas.fr/tel-02053232/document