Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"contact scaling"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 4, p 386 (2024)
Contact scaling is a major challenge in nano complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology, as the surface roughness, contact size, film thicknesses, and undoped substrate become more problematic as the technology shrinks to the nanom
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08aa64a40a48407dbe42869896c3e127
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Distinct Contact Scaling Effects in MoS2 Transistors Revealed with Asymmetrical Contact Measurements
Autor:
Zhihui Cheng, Jonathan Backman, Huairuo Zhang, Hattan Abuzaid, Guoqing Li, Yifei Yu, Linyou Cao, Albert V. Davydov, Mathieu Luisier, Curt A. Richter, Aaron D. Franklin
Publikováno v:
Advanced Materials, 35 (21)
2D semiconducting materials have immense potential for future electronics due to their atomically thin nature, which enables better scalability. While the channel scalability of 2D materials has been extensively studied, the current understanding of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c481d176a8b45de90e166fd282025492
https://hdl.handle.net/20.500.11850/609691
https://hdl.handle.net/20.500.11850/609691
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.