Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"contact end resistance"'
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 6, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Achieving good electrical contacts is one of the major challenges in realizing devices based on atomically thin 2D semiconductors. Several studies have examined this hurdle, but a universal understanding of the contact resistance (Rc) and an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/12712caec9344b02866cbf88f9e47786
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The contact-end-resistance (CER) method is applied to transfer length method structures to characterize in-depth the graphene–metal contact and its dependence on the back-gate bias. Parameters describing the graphene–metal stack resistance are ex
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6f122051deff3cead0ab6b640ef51e07
http://hdl.handle.net/11390/1129374
http://hdl.handle.net/11390/1129374
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The purpose of this comment is to contribute to a better understanding of the influence of lateral current crowding, sheet resistance, and interface pitting in the determination of the interface contact resistivity in four terminal resistor test patt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76217d5dd867f2a68a3c3c3768e24442
http://hdl.handle.net/11391/915996
http://hdl.handle.net/11391/915996