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Publikováno v:
Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquia, Iss 58, Pp 183-190 (2011)
Se presenta un análisis del desempeño de conmutadores de señales microondas tipos serie y paralelo con base en diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Los materiales analizados son Si, GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb. El conmutador tipo
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https://doaj.org/article/4f194aad909c41548b430e3c8f112e02
Publikováno v:
Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquia, Issue: 58, Pages: 183-190, Published: MAR 2011
Se presenta un análisis del desempeño de conmutadores de señales microondas tipos serie y paralelo con base en diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Los materiales analizados son Si, GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb. El conmutador tipo
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______618::717942a662db4aaf59d3c89b3d563c62
http://www.scielo.org.co/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0120-62302011000200019&lng=en&tlng=en
http://www.scielo.org.co/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0120-62302011000200019&lng=en&tlng=en