Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"compliant substrates"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 17, Iss 1, Pp 1-6 (2022)
Abstract The material quality of III-nitrides is severely limited by the lack of cost-effective substrates with suitable lattice and thermal expansion coefficients. A suspended ultrathin silicon membrane substrate ( $$\sim$$ ∼ 16 nm), fabricated by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2fc8b3e1b21843908f353da947b76384
Autor:
M. Agati, S. Boninelli, C. Calabretta, F. Mancarella, M. Mauceri, D. Crippa, M. Albani, R. Bergamaschini, L. Miglio, F. La Via
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 208, Iss , Pp 109833- (2021)
In this paper we report the morphology and the microstructural properties of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films epitaxially grown on T-shaped Si micropillars. This compliant substrate was designed to release the stress developed in 3C-SiC grown on S
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a54e75fd482c448780f0f6a27b160601
Autor:
Cristiano Calabretta, Roberto Bergamaschini, Danilo Crippa, F. La Via, Marco Mauceri, Fulvio Mancarella, Leo Miglio, M Albani, S. Boninelli, Marta Agati
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 208, Iss, Pp 109833-(2021)
In this paper we report the morphology and the microstructural properties of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films epitaxially grown on T-shaped Si micropillars. This compliant substrate was designed to release the stress developed in 3C-SiC grown on S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0de8199defcf383ba28314460cec2d13
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0264127521003865
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0264127521003865
Autor:
Valdas Jokubavicius, Mikael Syväjärvi, Massimo Zimbone, Marco Mauceri, Rositsa Yakimova, Anna Marzegalli, Ioannis Deretzis, Leo Miglio, Giuseppe Fisicaro, Michael Schöler, Emilio Scalise, Manuel Kollmuss, Francesco La Via, Corrado Bongiorno, Ruggero Anzalone, Antonino La Magna, Peter J. Wellmann, Danilo Crippa, Filippo Giannazzo, Andrey Sarikov, Cristiano Calabretta, Viviana Scuderi, Marcin Zielinski, Philipp Schuh
Publikováno v:
Materials, Vol 14, Iss 5348, p 5348 (2021)
Materials
Materials
In this review paper, several new approaches about the 3C-SiC growth are been presented. In fact, despite the long research activity on 3C-SiC, no devices with good electrical characteristics have been obtained due to the high defect density and high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0e2539de12916dd4de1f3366636f4cfd
https://www.mdpi.com/1996-1944/14/18/5348
https://www.mdpi.com/1996-1944/14/18/5348
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Noh, Shinyoung
Compliant substrates are a theoretically promising solution to lattice mismatch, the critical issue in fabricating thin film semiconductor devices that require the integration of materials with lattice mismatch. Therefore, heteroepitaxial III-V on si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::22b5f7ed3850de9853de3414f592ef51
