Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"cmos device"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 11, p 722 (2019)
A smart floating gate transistor with two control gates was proposed for active noise control in bioelectrical signal measurement. The device, which is low cost and capable of large-scale integration, was implemented in a standard single-poly complem
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c4f9e8fae38c4fa982ef5650d46d0a3c
Autor:
Carapezzi, Stefania, Boschetto, Gabriele, Delacour, Corentin, Abernot, Madeleine, Gil, Thierry, Todri-Sanial, Aida
Publikováno v:
15ème Colloque National du GDR SoC²
15ème Colloque National du GDR SoC², Jun 2021, Rennes, France. 2021
15ème Colloque National du GDR SoC², Jun 2021, Rennes, France., 2021
15ème Colloque National du GDR SoC², Jun 2021, Rennes, France. 2021
15ème Colloque National du GDR SoC², Jun 2021, Rennes, France., 2021
National audience; In this paper, we showcase a leading-edge implementation of oscillatory neural networks (ONNs) using beyond Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor devices based on vanadium dioxide to mimick neurons, and 2D molybdenum disulfide me
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::450755b28f046c51063b746d5bd44b1f
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03270397/file/Carapezzi-GDR-SoC.pdf
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03270397/file/Carapezzi-GDR-SoC.pdf
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines
Volume 10
Issue 11
Micromachines, Vol 10, Iss 11, p 722 (2019)
Volume 10
Issue 11
Micromachines, Vol 10, Iss 11, p 722 (2019)
A smart floating gate transistor with two control gates was proposed for active noise control in bioelectrical signal measurement. The device, which is low cost and capable of large-scale integration, was implemented in a standard single-poly complem
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of physics. D, Applied physics
49 (2016): 364004. doi:10.1088/0022-3727/49/36/364004
info:cnr-pdr/source/autori:Wolf D.; Lubk A.; Prete P.; Lovergine N.; Lichte H./titolo:3D mapping of nanoscale electric potentials in semiconductor structures using electron-holographic tomography/doi:10.1088%2F0022-3727%2F49%2F36%2F364004/rivista:Journal of physics. D, Applied physics (Print)/anno:2016/pagina_da:364004/pagina_a:/intervallo_pagine:364004/volume:49
49 (2016): 364004. doi:10.1088/0022-3727/49/36/364004
info:cnr-pdr/source/autori:Wolf D.; Lubk A.; Prete P.; Lovergine N.; Lichte H./titolo:3D mapping of nanoscale electric potentials in semiconductor structures using electron-holographic tomography/doi:10.1088%2F0022-3727%2F49%2F36%2F364004/rivista:Journal of physics. D, Applied physics (Print)/anno:2016/pagina_da:364004/pagina_a:/intervallo_pagine:364004/volume:49
Off-axis electron holography (EH) is a powerful method for mapping projected electric potentials, such as built-in potentials in semiconductor devices, in two dimensions (2D) at nanometer resolution. However, not well-defined thickness profiles, surf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f4786b5b835a60d744a2917552f5862
http://www.cnr.it/prodotto/i/360548
http://www.cnr.it/prodotto/i/360548
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Antonio Gnudi, Pasquale Maiorano, Emanuele Baravelli, Giorgio Baccarani, Elena Gnani, Susanna Reggiani
In this work, an overview is given on the prospects and challenges of two novel device concepts,namely the Tunnel FET (TFET) and the Superlattice FET (SL-FET). The optimization effort ofhomo- and hetero-junction TFETs carried out so far shows that th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d9f691d984ae02ee1d26bb1b4583ddd9
http://hdl.handle.net/11585/588883
http://hdl.handle.net/11585/588883
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.