Zobrazeno 1 - 10
of 288
pro vyhledávání: '"circuit simulator"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 464-468 (2021)
The Analytical Full Capacitance Model (AFCM) for amorphous oxide semiconductors thin film transistors (AOSTFTs) is first validated, using a 19-stages Ring Oscillator (RO) fabricated and measured. The model was described in Verilog-A language to use i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6ed8c638eb434057bc8691b14827a39f
Autor:
Stošić Biljana P.
Publikováno v:
Serbian Journal of Electrical Engineering, Vol 17, Iss 2, Pp 149-169 (2020)
Microwave and millimeter-wave communication systems require couplers in different applications. The aim of this paper is to construct simple wave digital models of directional couplers with two or three parallel lines. The idea behind this aim is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/96f8c219b18940f0977b79f57a00d0f2
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 13, Iss 1, p 8 (2023)
This contribution addresses the numerical optimization of the harvested energy of a mechanically and electrically nonlinear and nonideal piezoelectric energy harvester (PEH) under triangular shock-like excitation, taking into account a nonlinear stre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0fabfbbaa8de431aa3f87061a1ca2a4c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 16, p 8139 (2022)
Based on the time-dependent master equation and taking the dynamic gate current into account, a new single-electron transistor (SET) model is proposed, which can represent intrinsic terminal capacitances and transcapacitances. By using this model, bi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/039d2a1f93c54d9f843cb438b9014ad8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.