Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"chemical vapour deposition silicon nitride"'
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 5, p 2110 (2021)
We report on low-temperature and low-pressure deposition conditions of 140 °C and 1.5 mTorr, respectively, to achieve high-optical quality silicon nitride thin films. We deposit the silicon nitride films using an electron cyclotron resonance plasma-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a85832a67c1a4dc2a7f4dbf69451ec89
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 2110, p 2110 (2021)
Applied Sciences
Volume 11
Issue 5
Applied Sciences
Volume 11
Issue 5
We report on low-temperature and low-pressure deposition conditions of 140 °C and 1.5 mTorr, respectively, to achieve high-optical quality silicon nitride thin films. We deposit the silicon nitride films using an electron cyclotron resonance plasma-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cfee220dc45267b94cf2fad3bd25b9a9
https://doi.org/10.3390/app11052110
https://doi.org/10.3390/app11052110
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.