Zobrazeno 1 - 10
of 770
pro vyhledávání: '"chemical–vapor transport"'
Autor:
Mallesh Baithi, Dinh Loc Duong
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 10, p 832 (2024)
Doping semiconductors is crucial for controlling their carrier concentration and enabling their application in devices such as diodes and transistors. Furthermore, incorporating magnetic dopants can induce magnetic properties in semiconductors, pavin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/744ec03ff6e643b08c66d2911da22e60
Autor:
Kevon Kadiwala, Luize Dipane, Eriks Dipans, Arturs Bundulis, Martins Zubkins, Andrejs Ogurcovs, Jevgenijs Gabrusenoks, Dmitry Bocharov, Edgars Butanovs, Boris Polyakov
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 8, p 690 (2024)
The promise of two-dimensional (2D) rhenium diselenide (ReSe2) in electronics and optoelectronics has sparked considerable interest in this material. However, achieving the growth of high-quality ReSe2 thin films on a wafer scale remains a significan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86280f3fb8dd4c22952858f7138c2fef
Autor:
Ivan V. Bodnar, Vitaly V. Khoroshko, Veronika A. Yashchuk, Valery F. Gremenok, Mohsin Kazi, Mayeen U. Khandaker, Abdul G. Abid, Tatiana I. Zubar, Daria I. Tishkevich, Alex V. Trukhanov, Sergei V. Trukhanov
Publikováno v:
Heliyon, Vol 9, Iss 11, Pp e22533- (2023)
Single crystals of Cu2ZnGeSe4 and Cu2ZnGeS4 solid solutions were developed and successfully obtained using the chemical vapor transfer method, with iodine acting as a transporter. The structure, compositional dependences of lattice parameters, pycnom
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fb44857d9a1945a48c3bbfec8445e731
Autor:
Narendra S. Parmar, Haena Yim, Lynn A. Boatner, Panithan Sriboriboon, Yunseok Kim, Kyung Song, Jung‐Hae Choi, In Won Yeu, Ji‐Won Choi
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 7, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Three‐dimensional (3D) charge‐written periodic peak and valley nanoarray surfaces are fabricated on a (112¯0) ZnO single crystal grown via chemical vapor transport. Because the grown ZnO crystals exhibit uniform n‐type conduction, 3D
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8db35af0d2274809a4b7febfbf3effa4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.