Zobrazeno 1 - 10
of 222
pro vyhledávání: '"charge-trapping memory"'
Autor:
So-Won Kim, Jae-Hoon Yoo, Won-Ji Park, Chan-Hee Lee, Joung-Ho Lee, Jong-Hwan Kim, Sae-Hoon Uhm, Hee-Chul Lee
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 20, p 1686 (2024)
We aimed to fabricate reliable memory devices using HfO2, which is gaining attention as a charge-trapping layer material for next-generation NAND flash memory. To this end, a new atomic layer deposition process using sequential remote plasma (RP) and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a009560ee3c94ae9b861118dcb7fa76d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 4, p 896 (2023)
With gate length (Lg) and gate spacing length (Ls) shrinkage, the cell-to-cell z-interference phenomenon is increasingly severe in 3D NAND charge-trap memory. It has become one of the key reliability concerns for 3D NAND cell scaling. In this work, z
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3adbfd91e9c346b686dbecd8c1115442
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-8 (2020)
Abstract Synaptic devices are necessary to meet the growing demand for the smarter and more efficient system. In this work, the anisotropic rhenium disulfide (ReS2) is used as a channel material to construct a synaptic device and successfully emulate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62450c17c2f54892a52ed624ae12a868
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 81-84 (2018)
The charge trapping characteristics in the metal-oxide-nitride-oxide-silicon memory with separated trapping layer were investigated. Charge injection was enhanced for the reduction of effective oxide thickness of the gate dielectric. High program/era
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f55233353ac4b61bf0033e8351bbfae
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 121-125 (2018)
Metal/ferroelectric-Si:HfO2/SiN/SiO2/Si structure was fabricated to investigate the charge trapping properties. This device enhances the carrier injection into the nitride from the silicon due to the spontaneous polarization in SiO2:HfO2 layer. Compa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/99db174c8519437193b42941153705ca
Autor:
Hong Wang, Xiaobing Yan, Xinlei Jia, Zichang Zhang, Chi-Hsiang Ho, Chao Lu, Yuanyuan Zhang, Tao Yang, Jianhui Zhao, Zhenyu Zhou, Mengliu Zhao, Deliang Ren
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 464-467 (2018)
Graphene oxide quantum dots (GOQDs) are integrated with a charge trapping layer in a nonvolatile charge trapping memory. The device structures of Pd/SiO2/ZHO/SiO2/Si and Pd/SiO2/ZHO/GOQDs/SiO2/Si are fabricated, measured, and compared. The GOQD-embed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2851be050d0c47979f0640f0e85427f2