Zobrazeno 1 - 10
of 1 260
pro vyhledávání: '"charge-pumping"'
Publikováno v:
Actuators, Vol 13, Iss 10, p 396 (2024)
Triboelectric nanogenerators (TENGs) are a viable energy-harvesting technology that can harness kinetic energy from various environmental sources. TENGs primarily utilize linear and rotational motion as their kinetic energy sources. In the contact/se
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aaee4b64178245c7a7ae76379761d035
Autor:
Min‐Kyu Park, Joon Hwang, Kyung Min Lee, Sung Yun Woo, Jae‐Joon Kim, Jong‐Ho Bae, Jong‐Ho Lee
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract An increase in the demand for artificial intelligence is leading to advanced research in the field of neuromorphic systems, which imitate human brain functions with the hope of increasing computational speed and lowering power consumption. E
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f6eea39b096b42d79e960b2eb31b03ae
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 6, Iss , Pp 100091- (2023)
In recent years, there has been significant progress in the development of high-κ materials in the semiconductor industry. Given that the contact between the channel and the electrode has a crucial impact on reliability, the selection of electrode m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0b5ece34c5274717b5c4626b2b82bab3
Autor:
Grzegorz Głuszko, Lidia Łukasiak, Valeriya Kilchytska, Tsung Ming Chung, Benoit Olbrechts, Denis Flandre, Jean-Pierre Raskin
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5054e077d62642bdae7f352d5f99e2ea
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
This paper presents for the first time the results of charge-pumping (CP) measurements of FILOX vertical transistors. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the Si-SiO2 interface fabricated in a n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86e7e9b1960b4615a7c81b301e958170
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to ob
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/adbaf07b52714d048cad257cc7096153
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. P. Babenko, V. K. Bityukov
Publikováno v:
Российский технологический журнал, Vol 9, Iss 2, Pp 66-77 (2021)
Non-inductive (throttle-free) DC/DC converters are used in low-power and highly integrated electronic systems. A circuit analysis of the basic topologies of non-inductive DC/DC charge-pumped converters which perform typical DC-voltage conversions, i.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d734fbbc8d674b969d9f255d68a01ae3