Zobrazeno 1 - 10
of 242
pro vyhledávání: '"channel temperature"'
Publikováno v:
Measurement Science Review, Vol 24, Iss 1, Pp 27-35 (2024)
The use of the thermostatic metal bath is becoming more and more extensive and the requirements for its precision and reliability are also increasing. To meet the needs of the metal bath calibration, a 12-channel thermostatic metal bath temperature f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/63ffed6fc88541288a2c8127ab0189d7
Publikováno v:
Buildings, Vol 14, Iss 1, p 157 (2024)
The temperature measuring instrument was utilized to monitor the welding temperature field at designated points along steel rectangular hollow sections (RHSs) during welding. A total of 32 temperature monitoring points were established on the four su
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b437c9a8d0db482cbc5527ee90a2fe80
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Remote Sensing, Vol 15, Iss 24, p 5746 (2023)
The intense current of lightning plasma can emit radiation across various parts of the electromagnetic spectrum. Spectral observation is an effective means to understand the radiation characteristics of lightning channels at different wavelengths. In
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d6b715721cd4a6fad1ff1ba2110ab8e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Surajit Chakraborty, Tae-Woo Kim
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 10, p 1833 (2023)
We present the mean time to failure (MTTF) of on-wafer AlGaN/GaN HEMTs under two distinct electric field stress conditions. The channel temperature (Tch) of the devices exhibits variability contingent upon the stress voltage and power dissipation, th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b36d38b94eea4643aa2226a577e73f17
Autor:
Hanghang Lv, Yanrong Cao, Maodan Ma, Zhiheng Wang, Xinxiang Zhang, Chuan Chen, Linshan Wu, Ling Lv, Xuefeng Zheng, Yongkun Wang, Wenchao Tian, Xiaohua Ma
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 7, p 1457 (2023)
In this paper, a P-type GaN buried layer is introduced into the buffer layer of AlGaN/GaN HEMTs, and the effect of the P-type GaN buried layer on the device’s temperature characteristics is studied using Silvaco TCAD software. The results show that
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cd1c4b4dac674b5b8eba3c0803c48577
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 48163-48176 (2020)
Aiming at the long-term cumulative error inherent in pedestrian indoor inertial positioning filed, that error is mainly due to the low signal-to-noise ratio of the sensor output signal quality, the temperature drift of the gyro and the accuracy of er
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ba7dedc1c8b4a119d4b7c46a38bfa82