Zobrazeno 1 - 10
of 125
pro vyhledávání: '"chalcogenide superlattice"'
Autor:
Suzuki, Takara, Saito, Yuta, Fons, Paul, Kolobov, Alexander V., Tominaga, Junji, Hase, Muneaki
Publikováno v:
Phys. Status Solidi RRL, Vol.19, 1800246 (2018)
Chalcogenide superlattices (SL) consist of alternate stacking of GeTe and Sb$_{2}$Te$_{3}$ layers. The structure can become a 3D topological insulator depending on the constituent layer thicknesses, making the design of the SL period a central issue
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.12420
Autor:
Mondal, Richarj, Aihara, Yuki, Saito, Yuta, Fons, Paul, Kolobov, Alexander V., Tominaga, Junji, Hase, Muneaki
Publikováno v:
ACS Appl. Mater. Interfaces, Vol. 10(31), pp.26781-26786 (2018)
Chalcogenide superlattices (SL), formed by the alternate stacking of GeTe and Sb$_{2}$Te$_{3}$ layers, also referred to as interfacial phase change memory (iPCM), are a leading candidate for spin based memory device applications. Theoretically, the i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.11828
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 120:073504
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::971adf597a2b82b099645bcd97cadf56
https://doi.org/10.1063/5.0081865
https://doi.org/10.1063/5.0081865
Autor:
Noriyuki Miyata, Alexander V. Kolobov, Yuta Saito, Paul Fons, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Kirill V. Mitrofanov
Publikováno v:
ECS Transactions. 86:49-54
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32b0de163139094181dacbc69ce4455e
https://doi.org/10.1149/08603.0049ecst
https://doi.org/10.1149/08603.0049ecst
Autor:
Junji Tominaga, Yuta Saito, Muneaki Hase, Richarj Mondal, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Yuki Aihara
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 10:26781-26786
Chalcogenide superlattices (SL), formed by the alternate stacking of GeTe and Sb$_{2}$Te$_{3}$ layers, also referred to as interfacial phase change memory (iPCM), are a leading candidate for spin based memory device applications. Theoretically, the i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2cf74b0f61543f6b5be0157f9c7680a3
https://doi.org/10.1021/acsami.8b07974
https://doi.org/10.1021/acsami.8b07974
Chalcogenide superlattices (SL) consist of alternate stacking of GeTe and Sb$_{2}$Te$_{3}$ layers. The structure can become a 3D topological insulator depending on the constituent layer thicknesses, making the design of the SL period a central issue
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8d481645e8e8690f64a1ba256ed51de9
http://arxiv.org/abs/1907.12420
http://arxiv.org/abs/1907.12420
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.