Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"carrier profile extraction"'
Autor:
Su Hyun Kim, Mingoo Kim, Ji Hwan Lee, Kihwan Kim, Joon Seok Park, Jun Hyung Lim, Saeroonter Oh
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 10, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The lateral carrier profile of amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) thin‐film transistors (TFTs) plays a significant role in determining the effective channel length (Leff) and length scalability even when the physical gate length (L
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6362fcee3acb428ba41032f741a6b9d6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.