Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"carrier drift velocity"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 24, Iss , Pp 104156- (2021)
Pulsed current–voltage characteristics have been measured for CVD monolayer graphene and exfoliated MoS2 on HfO2 and Al2O3 (sapphire) under controlled lattice temperature conditions. The unintentional donor density in MoS2 is 3.6 × 1011cm−3 and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27557c0b7578479383eebf88fa9d287a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kiichi Meguro, Y. Oshiki, S. Kawamura, Junichi Kaneko, Y. Yamamoto, Fumiyuki Fujita, Tokuyuki Teraji, Michihiro Furusaka, Takahiro Imai, A. Homma, K. Tsuji, Hideyuki Watanabe
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 15(11-12):1921-1925
A fast TOF measurement system with 150 ps time resolution for transport behavior of free charge carriers in an intrinsic diamond film by using a UV pulsed laser was developed. The 213 nm UV laser light narrowed to approximately 80 μm widths could lo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::717a3a09f800e20962b7fde7d0846c0a
http://hdl.handle.net/2115/17257
http://hdl.handle.net/2115/17257
Autor:
Junichi Kaneko, Kiichi Meguro, Tokuyuki Teraji, Fumiyuki Fujita, Y. Oshiki, Takahiro Imai, A. Homma, Y. Yamamoto, Teruko Sawamura, K. Tsuji, Michihiro Furusaka
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 14(11-12):1992-1994
There are continuing efforts of developing faster FETs and diamond is one of the strong candidates as a base semiconductor. Since the upper-limit-frequency of diamond FETs determines saturated drift velocities of charge-carriers, we need to first cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a3f2fba956cb0ff99fe53df3ea4ab240
http://hdl.handle.net/2115/8291
http://hdl.handle.net/2115/8291
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
In this paper, a time-domain model of wavelength shifting in a semiconductor layer with a constant stimulated gain level and moving Bragg grating of permittivity is used to investigate Doppler conversion of an infrared (f/sub 0/=200 THz) ultrashort (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3342762807dbd162bd211867682bd3ec
http://gnosis.library.ucy.ac.cy/handle/7/44844
http://gnosis.library.ucy.ac.cy/handle/7/44844
Publikováno v:
1998 IEEE Sixth International Conference on Terahertz Electronics Proceedings.THZ 98.(Cat.No.98EX171)
6th IEEE International Conference on Terahertz Electronics
6th IEEE International Conference on Terahertz Electronics
A time-domain model of an excited semiconductor medium as a moving Bragg grating is used to investigate a double-Doppler wavelength conversion of an infrared (/spl lambda//sub 0/=15 /spl mu/m) 0.8 ps optical pulse. In order to investigate ultrafast e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::324a0dedd492741724c55b15af115fd1
http://gnosis.library.ucy.ac.cy/handle/7/44840
http://gnosis.library.ucy.ac.cy/handle/7/44840
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.