Zobrazeno 1 - 10
of 2 359
pro vyhledávání: '"carrier drift velocity"'
Publikováno v:
Scientific Reports 4, 5758 (2014)
Heat has always been a killing matter for traditional semiconductor machines. The underlining physical reason is that the intrinsic carrier density of a device made from a traditional semiconductor material increases very fast with a rising temperatu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.0358
We investigate electron dynamics at the graphene edge by studying the propagation of collective edge magnetoplasmon (EMP) excitations. By timing the travel of narrow wave-packets on picosecond time scales around exfoliated samples, we find chiral pro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1206.2940
Publikováno v:
In Solar Energy April 2015 114:1-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:4977-4982
Experimental light–current characteristics of high-power semiconductor lasers operating at ultrahigh drive currents have been studied in terms of numerical models taking into account the effect of the carrier drift velocity saturation. It was shown
Autor:
Fujita, F., Homma, A., Oshiki, Y., Kaneko, J.H., Tsuji, K., Meguro, K., Yamamoto, Y., Imai, T., Teraji, T., Sawamura, T., Furusaka, M.
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2005 14(11):1992-1994
Autor:
Cheremisin, M. V.
Publikováno v:
Semiconductors. Mar1997, Vol. 31 Issue 3, p241. 5p.
Autor:
Cheremisin, M. V.1 maksim.vip1@pop.ioffe.rssi.ru, Samsonidze, G. G.1
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 6/15/2006, Vol. 99 Issue 12, p123707. 7p. 1 Chart, 5 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.