Zobrazeno 1 - 10
of 163
pro vyhledávání: '"capping electrode"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wei Wang, Xumeng Zhang, Ming Liu, Yan Wang, Rongrong Cao, Xiaolong Zhao, Qi Liu, Hangbing Lv, Shengjie Zhao, Yang Yang
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 39:1207-1210
In this letter, effects of top electrodes (TEs) on ferroelectric properties of Hf0.5 Zr0.5 O2 (HZO) thin films are examined systematically. The remnant polarization (Pr) of HZO thin films increases by altering TEs with lower thermal expansions coeffi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43a8ef398043d36b82f4667dbd58d0a3
https://doi.org/10.1109/led.2018.2846570
https://doi.org/10.1109/led.2018.2846570
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1072-1079 (2019)
To reduce the reset voltage and thus leakage current of the cross-point architecture of phase change memory (PCM), a type of 1S1R cell hierarchy with reconfigured electrode capping around the phase change material is explored in this paper. The elect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3b42e49bed34a2bbbb960d4018266fd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eom, Deokjoon1 (AUTHOR), Lee, Jehoon1 (AUTHOR), Lee, Woohui1 (AUTHOR), Oh, Joohee1 (AUTHOR), Park, Changyu1 (AUTHOR), Kim, Jinyong1 (AUTHOR), Lee, Hyangsook2 (AUTHOR), Lee, Eunha2 (AUTHOR), Kim, Hyoungsub1 (AUTHOR) hsubkim@skku.edu
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 2/9/2023, Vol. 56 Issue 6, p1-8. 8p.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1072-1079 (2019)
To reduce the reset voltage and thus leakage current of the cross-point architecture of phase change memory (PCM), a type of 1S1R cell hierarchy with reconfigured electrode capping around the phase change material is explored in this paper. The elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::88cbf22d888a0e80202256a3d2aa75ec
https://ieeexplore.ieee.org/document/8877733/
https://ieeexplore.ieee.org/document/8877733/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology; Jan2021, Vol. 32 Issue 5, p1-8, 8p