Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"c-v curve"'
Autor:
V. А. Pilipenko, V. A. Saladukha, V. A. Filipenya, R. I. Vorobey, O. K. Gusev, A. L. Zharin, K. V. Pantsialeyeu, A. I. Svistun, A. K. Tyavlovsky, K. L. Tyavlovsky
Publikováno v:
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 8, Iss 4, Pp 344-356 (2017)
Introduction of submicron design standards into microelectronic industry and a decrease of the gate dielectric thickness raise the importance of the analysis of microinhomogeneities in the silicon-silicon dioxide system. However, there is very little
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ce66eec3f1e4c2aaa1698b4a81a3d81
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Batteries, Vol 6, Iss 4, p 54 (2020)
The capacitance of Lithium-ion Capacitors (LiCs) highly depends on their terminal voltage. Previous research found that it varies in a nonlinear manner with respect to the voltage. However, none of them modeled the capacitance evolution while conside
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ffec8e0ce71b478d869c49cce9f8fb2d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ilaria Matacena, Luca Maresca, Michele Riccio, Andrea Irace, Giovanni Breglio, Santolo Daliento, Alberto Castellazzi
Even if SiC MOSFETs technology has undergone huge progress in last years, there are some issues still open, such as high traps density at the SiO2/SiC interface. This work focuses on the measurement of the Gate capacitance when a DC bias is applied b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8609c8c999d7dd08f990b4c3a002e7e7
https://hdl.handle.net/11588/906181
https://hdl.handle.net/11588/906181
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Batteries, Vol 6, Iss 54, p 54 (2020)
Batteries; Volume 6; Issue 4; Pages: 54
Batteries; Volume 6; Issue 4; Pages: 54
The capacitance of Lithium-ion Capacitors (LiCs) highly depends on their terminal voltage. Previous research found that it varies in a nonlinear manner with respect to the voltage. However, none of them modeled the capacitance evolution while conside
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::222e0c49cde9c244acb2d27bf822c279
https://www.mdpi.com/2313-0105/6/4/54
https://www.mdpi.com/2313-0105/6/4/54
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Souza, Ricardo de
Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura f