Zobrazeno 1 - 10
of 489
pro vyhledávání: '"c-AFM"'
Autor:
Zhang, Yidong
Publikováno v:
Microelectronics International, 2024, Vol. 41, Issue 4, pp. 181-185.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/MI-02-2024-0029
Autor:
P. Lagrain, K. Paulussen, E. Grieten, G. Van den Bosch, S. Rachidi, D. Yudistira, L. Wouters, T. Hantschel
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 23, Iss , Pp 100247- (2024)
Focused ion beam (FIB) has become a powerful tool for transmission electron microscopy sample preparation in the nanoelectronics industry and has in recent years also shown its benefits for specific preparation steps in electrical scanning probe micr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d5a4ea81a68e4d849bd039a490c67128
Autor:
Niclas Schmidt, Nico Kaiser, Tobias Vogel, Eszter Piros, Silvia Karthäuser, Rainer Waser, Lambert Alff, Regina Dittmann
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract HfO2 is one of the most common memristive materials and it is widely accepted that oxygen vacancies are prerequisite to reduce the forming voltage of the respective memristive devices. Here, a series of six oxygen engineered substoichiometri
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ddb528388adf4513a1d5e4f9632d29f1
Publikováno v:
Biochar, Vol 4, Iss 1, Pp 1-15 (2022)
Highlights The microscopic distribution of RAMs on biochar was achieved by combining C-AFM and a mediated electrochemical method. The uneven distribution of RAMs enabled biochar to possess outstanding EEC by enhancing accessibility. The removal of su
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/82b4a40584f540fe963f1c08418ac6e3
Autor:
Valentina Spampinato, Yuanyuan Shi, Jill Serron, Albert Minj, Benjamin Groven, Thomas Hantschel, Paul van derHeide, Alexis Franquet
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 7, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Atomically thin, 2D semiconductors, such as transition metal dichalcogenides, complement silicon in ultra‐scaled nano‐electronic devices. However, the semiconductor and its interfaces become increasingly more difficult to characterize ch
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/304cf18b40c54a04bfe6c1a03031f001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Microscopy, Vol 51, Iss 1, Pp 1-9 (2021)
Abstract Neuromorphic systems require integrated structures with high-density memory and selector devices to avoid interference and recognition errors between neighboring memory cells. To improve the performance of a selector device, it is important
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/616bfabc41b74e73bed8440d1f5dd00a