Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"breakdown point transfer technique"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 559-564 (2020)
In this paper, a new vertical double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistors (VDMOS) is proposed with the partial SiC/Si heterojunction (Partial SiC/Si VDMOS) under the drain electrode in this paper for the first time. The breakdo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c691defe3184630bce1838587b3624b
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 559-564 (2020)
In this paper, a new vertical double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistors (VDMOS) is proposed with the partial SiC/Si heterojunction (Partial SiC/Si VDMOS) under the drain electrode in this paper for the first time. The breakdo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b7ccd6a514d8b0e7b00b16a99b604a3c
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.2997086
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.2997086
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.