Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"breakdown fields"'
Autor:
Jun‐Woo Lee, Jong Ho Won, Woosup Kim, Jwa‐Bin Jeon, Myung‐Yeon Cho, Sunghoon Kim, Minkyung Kim, Chulhwan Park, Weon Ho Shin, Kanghee Won, Sang‐Mo Koo, Jong‐Min Oh
Publikováno v:
Small Structures, Vol 5, Iss 12, Pp n/a-n/a (2024)
With the increasing demand for modern high‐voltage electronic devices in electric vehicles and renewable‐energy systems, power semiconductor devices with high breakdown fields are becoming essential. β‐Gallium oxide (Ga2O3), which has a theore
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/182a556792b5492887f217e7baf1c2d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.