Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"boron interstitial‐formed boundaries"'
Autor:
Shang Yu Tsai, Po‐Hsien Tseng, Chun Chi Chen, Cheng‐Ming Huang, Hung‐Wei Yen, Yi‐Sheng Chen, Kun‐Lin Lin, Ranming Niu, Yu‐Sheng Lai, Fu‐Hsiang Ko
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 36, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Green energy collection is crucial for achieving future net‐zero carbon emissions, with energy harvesting being a key solution. Silicon, a widely used p‐type semiconductor doped with boron ions, is prevalent in modern electronics. Howeve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d3efc12db150407e8caf02ff9af5bebb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.