Zobrazeno 1 - 10
of 98
pro vyhledávání: '"boron emitter"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marion Driesen, Armin Richter, Jana-Isabelle Polzin, Frank Feldmann, Bernd Steinhauser, Markus Ohnemus, Charlotte Weiss, Jan Benick, Stefan Janz
n-type silicon-based tunnel-oxide passivating contact (TOPCon) solar cells are a cell concept reaching highest power conversion efficiencies. In this article, we demonstrate a substantial simplification of processing such TOPCon solar cells by reduci
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b4dbe881bef1884547b50d6dbf6b2f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials
Materials, Vol 14, Iss 765, p 765 (2021)
Volume 14
Issue 4
Materials, Vol 14, Iss 765, p 765 (2021)
Volume 14
Issue 4
A kind of low recombination firing-through screen-printing aluminum (Al) paste is proposed in this work to be used for a boron-diffused N-type solar cell front side metallization. A front side fire-through contact (FTC) approach has been carried out
Autor:
Haibing Huang, Yameng Bao, Guillaume von Gastrow, Zhen Zhu, Sami Sneck, Wang Lichun, Toni P. Pasanen, Jianbo Wang, Shuo Li, Hele Savin, Chiara Modanese, Shenghua Sun
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 186:356-364
In this paper, we present an effective emitter passivation scheme using SiO2/Al2O3/SiNx stacks. Our study shows that SiO2/Al2O3/SiNx stacks can well passivate both p+ and n+ emitters due to an excellent chemical passivation combined with a weak field
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.F. Lerat, Marianne Coig, Frederic Milesi, Frédéric Mazen, Thomas Michel, Yannick Veschetti, Sébastien Dubois, Jérôme Le Perchec, Thibaut Desrues, Laurent Roux
Publikováno v:
Energy Procedia. 92:697-701
The use of plasma immersion ion implantation (PIII) is a relevant approach for the development of advanced solar cells technologies at lower cost (€/W p ). In this paper, we report on the development of homogeneous boron (B) doping of n-type crysta
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.