Zobrazeno 1 - 10
of 403
pro vyhledávání: '"border traps"'
Autor:
Qiang Wang, Maolin Pan, Penghao Zhang, Luyu Wang, Yannan Yang, Xinling Xie, Hai Huang, Xin Hu, Min Xu
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 16089-16094 (2024)
This article systematically studies the AlGaN/GaN MIS-HEMTs using the O2 plasma alternately treated Al2O3 as gate dielectric. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analyses and capacitance-voltage (C-V) measurement results show that the density
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/04e1f1e0df6d4795934cd79e7a46f822
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huy-Binh Do, Quang-Ho Luc, Phuong V. Pham, Anh-Vu Phan-Gia, Thanh-Son Nguyen, Hoang-Minh Le, Maria Merlyne De Souza
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 8, p 1606 (2023)
By combining capacitance–voltage measurements, TCAD simulations, and X-ray photoelectron spectroscopy, the impact of the work function of the gate metals Ti, Mo, Pd, and Ni on the defects in bulk HfO2 and at the HfO2/InGaAs interfaces are studied.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/44729d41d32a416b92a72aaac0adbf46
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 1145-1153 (2020)
A methodology has been proposed to accurately model the gate stack of Gallium Nitride (GaN) based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs). Small-signal analysis has been performed for the device biased in the spil
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f70f3a67df0d4c26b1a566cb48e01919
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.