Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"bipolarni tranzistor"'
Autor:
Poljak, Ivan
U ovom radu predstavljena je nova tehnologija bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje. Prikazana je integracija HCBT-a (eng. horizontal current bipolar tranzistor) u 0.18μm CMOS proces. Objašnjene su mjerne metode i testne strukture koj
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::cf87916fdb608b9d53c932aaa1b67ab5
https://www.bib.irb.hr/477411
https://www.bib.irb.hr/477411
Autor:
Mateša, Kristijan
Prikazati tehnologiju skaliranog bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje. Objasniti probleme pri skaliranju bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje na tehnologiju 0, 5/0, 1 um (rezolucija litografskog procesa/tolerancija pomak
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::946d095b5846863898ebf9df065342e6
https://www.bib.irb.hr/198966
https://www.bib.irb.hr/198966
Autor:
Tabaković, Azra
Rad se bavi proučavanjem karakteristika bipolarnih tranzistora na niskim temperaturama. Na početku su objašnjeni najvažniji efekti koji utječu na rad bipolarnih tranzistora, kao i problematika silicijskih i silicij-germanijskih bipolarnih tranzi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4131::570a9a363e3ad93c5555782cf7b2a663
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:11012/datastream/PDF
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:11012/datastream/PDF
Autor:
Štefanac, Matej
U radu je prikazan proces projektiranja kaskode prilagođene za rad na frekvencijama Globalnog navigacijskog satelitskog sustava (L-pojas). Opisane su prilagodne mreže pojačala, mreža za dovođenje istosmjernog napajanja te načini stabilizacije p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4131::588b0011831f7a8514f311a684887c9f
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:10144
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:10144
Autor:
Jambrović, Nikola
Cilj rada je razviti pojačalo što boljih karakteristika, namijenjeno radu na 2.4GHz, korištenjem HCBT tehnologije. Opisani su koraci u dizajnu takvog pojačala. Naglašene su razlike između simulacije idealnih i realnih elektroničkih komponenti.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4131::1239ba7e1623da685599a213e49a6d7e
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:8896
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:8896
Autor:
Horvat, Iva
U sklopu ovog završnog rada dizajnirano je jednostupanjsko pojačalo s bipolarnim tranzistorom, te je provedena analiza njegovog rada pri različitim frekvencijama ulaznog signala. Prije svega proučena je konstrukcija samog biploarnog tranzistora,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3912::0390f8de52ce9bbea0a552cf50229522
https://repozitorij.etfos.hr/islandora/object/etfos:3086
https://repozitorij.etfos.hr/islandora/object/etfos:3086
Autor:
Farkaš, Bruno
Bipolarni tranzistori su poluvodički elektronički elementi koji imaju puno karakteristika koje se mogu mjeriti, istraživati i ispitivati njihove ovisnosti. Opisana je uloga tranzistora u pojačalima snage i njihovi modeli u režimima velikog i mal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4131::7f94a00d654f36f52e3cac8b9cc5b347
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:8834/datastream/PDF
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:8834/datastream/PDF
Autor:
Osrečki, Željko
The large-signal performance of the horizontal current bipolar transistor (HCBT) is investigated by extensive measurements and simulations, and its suitability for the radiofrequency power amplifier design is demonstrated by designing advanced high-e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b34dd977beb4884017cec23f3994280c
https://www.bib.irb.hr/1201695
https://www.bib.irb.hr/1201695
Autor:
Mežnarić, Patrik
U ovom završnom radu projektirana su radiofrekvencijska pojačala snage sa silicij- germanijskim bipolarnim tranzistorom BFQ 790. Projektirana su pojačala snage klase A i AB. Za pojačalo u klasi A radna točka je postavljena na polovicu radnog pra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::42be31a326848f26ab59ec89b0658a51
https://www.bib.irb.hr/1184048
https://www.bib.irb.hr/1184048
Autor:
Farkaš, Bruno
Bipolarni tranzistori s horizonatlnim tokom struje imaju svoja rasipanja karakteristika u matričnom spoju međusobno takvih 64 tranzistora. Projektiran je sklop koji mjeri i sprema karakteristike svakog tranzistora u takvom spoju. Moguće su dvije m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4131::fc05f262f2c8bd589ea914ab568b76a0
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:5818
https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:5818