Zobrazeno 1 - 10
of 121
pro vyhledávání: '"bipolar degradation"'
Autor:
Jens Peter Konrath
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 7, Iss , Pp 100062- (2024)
It is now 25 years since the first observation of recombination-enhanced dislocation glide (REDG) in SiC p-i-n diodes. Since then, great progress has been made in understanding the mechanism behind up to a point where models emerged that can predict
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/89913b35679a4625ade50a8b28afe00c
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 254 (2024)
A SiC double-trench MOSFET embedded with a lower-barrier diode and an L-shaped gate-source in the gate trench, showing improved reverse conduction and an improved switching performance, was proposed and studied with 2-D simulations. Compared with a d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bad8632e46a14a238cad1828d7c7fe49
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 92 (2023)
A 6500 V SiC trench MOSFET with integrated unipolar diode (UD-MOS) is proposed to improve reverse conduction characteristics, suppress bipolar degradation, and reduce switching loss. An N type base region under the trench dummy gate provides a low ba
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/780a23b845db402ab7b274130ab773c0
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 7, p 1282 (2023)
A novel split-gate SiC MOSFET with an embedded MOS-channel diode for enhanced third-quadrant and switching performances is proposed and studied using TCAD simulations in this paper. During the freewheeling period, the MOS-channel diode with a low pot
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0796e1e6cd4b4e0a9ef29f729c22c649
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 1061 (2023)
In this article, a 1.2-kV-rated double-trench 4H-SiC MOSFET with an integrated low-barrier diode (DT-LBDMOS) is proposed which eliminates the bipolar degradation of the body diode and reduces switching loss while increasing avalanche stability. A num
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7a32e9a2265d48e5b37408f6ba2bf285
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 619-625 (2020)
In this paper, the SiC planar MOSFET with built-in reverse MOS-channel diode (SiC MCDMOSFET) is investigated utilizing TCAD simulation tools. When the device is working as a freewheeling diode, the operation of the parasitic body diode is suppressed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2b25da3322c4933afa346b8dde62d0c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.