Zobrazeno 1 - 10
of 557
pro vyhledávání: '"bipolar degradation"'
Autor:
Jens Peter Konrath
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 7, Iss , Pp 100062- (2024)
It is now 25 years since the first observation of recombination-enhanced dislocation glide (REDG) in SiC p-i-n diodes. Since then, great progress has been made in understanding the mechanism behind up to a point where models emerged that can predict
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/89913b35679a4625ade50a8b28afe00c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
An, Yunlai, Zhang, Wenting, Tang, Xinling, Niu, Xiping, Wang, Liang, Yang, Xiaolei, Shen, Zhanwei, Sun, Junmin, Sang, Ling, Liu, Rui, Du, Zechen, Luo, Weixia, Li, Ling, Chen, Zhongyuan, Wei, Xiaoguang, Yang, Fei
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 March 2023 605
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2023 153
Autor:
Kato, Masashi1 (AUTHOR) kato.masashi@nitech.ac.jp, Watanabe, Ohga1 (AUTHOR), Mii, Toshiki1 (AUTHOR), Sakane, Hitoshi2 (AUTHOR), Harada, Shunta3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 11/5/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-7. 7p.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 361 Issue: 1 p105-110, 6p
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-7 (2022)
Abstract 4H-SiC has been commercialized as a material for power semiconductor devices. However, the long-term reliability of 4H-SiC devices is a barrier to their widespread application, and the most important reliability issue in 4H-SiC devices is bi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/05b467040daa4a2aa082a1e65b726ed4
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 361 Issue: 1 p85-91, 7p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.