Zobrazeno 1 - 10
of 375
pro vyhledávání: '"bias temperature instability (BTI)"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 179-189 (2023)
The integration density of electronic systems is limited by the reliability of the integrated circuits. To guarantee the overall performance, the integrated circuit reliability must be modeled and analyzed at the early design stage. This paper review
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/76ff7c673f024195b26807e202ddedf7
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 127 (2024)
With the technological scaling of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and the scarcity of circuit design margins, the characteristics of device reliability have garnered widespread attention. Traditional single-mode relia
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac7503592862475ea65d98861d18fc6f
Autor:
Zhengguang Tang, Cong Li, Hailong You, Xingming Liu, Yu Wang, Yong Dai, Geng Bai, Xiaoling Lin
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 85 (2023)
With the CMOS technology downscaling to the deep nanoscale, the aging effects of devices degrade circuit performance and even lead to functional failure. The stress analysis is critical to evaluate the influence of aging effects on digital circuits.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fb279d3b27c44b249550e47fcb9b79dd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chohan, Talha, Slesazeck, Stefan, Trommer, Jens, Krause, Gernot, Bossu, Germain, Lehmann, Steffen, Mikolajick, Thomas
The growing interest in high speed and RF technologies assert for the importance of reliability characterization beyond the conventional DC methodology. In this work, the influence of bias temperature instability (BTI) stress on RF small signal param
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A79705
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A79705/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A79705/attachment/ATT-0/
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 9, p 4332 (2022)
The cells in dynamic random access memory (DRAM) degrade over time as a result of aging, leading to poor performance and potential security vulnerabilities. With a globalized horizontal supply chain, aged counterfeit DRAMs could end up on the market,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/de8421590b654dd581f6b4a78617a855