Zobrazeno 1 - 10
of 2 349
pro vyhledávání: '"bias temperature instability (BTI)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ENERGY & ENVIRONMENTAL MATERIALS. 5:1200-1203
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef9cd2d8de862ebbb6978e7c0ad9e012
https://doi.org/10.1002/eem2.12232
https://doi.org/10.1002/eem2.12232
Autor:
J. P. Bastos, B. J. O'Sullivan, J. Franco, S. Tyaginov, B. Truijen, A. Chasin, R. Degraeve, B. Kaczer, R. Ritzenthaler, E. Capogreco, E. D. Litta, A. Spessot, Y. Higashi, Y. Yoon, V. Machkaoutsan, P. Fazan, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6bf43da4a2a1b60a40b0267e7e989c9f
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764547
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764547
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ASICON
Measuring bias temperature instability (BTI) on ring oscillators (ROs) is frequently used. However, performance of a semiconductor chip is fluctuated dynamically due to bias, temperature and etc. BTI-sensitive and -insensitive ROs are implemented in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d74f436ba2ed37b1c4f5de1199eba494
https://doi.org/10.1109/asicon47005.2019.8983438
https://doi.org/10.1109/asicon47005.2019.8983438
Autor:
Marco Grossi, Martin Omana
In this paper we analyze the effect of the Bias Temperature Instability (BTI) aging phenomenon on the delay of deskew buffers employed in high performance microprocessors. Our analysis shows that, during circuit lifetime, the delay induced by BTI on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13d9eff40d738542d5dcee818c89791f
http://hdl.handle.net/11585/694714
http://hdl.handle.net/11585/694714
Autor:
V. Putcha, D. Zhou, Hiroaki Arimura, Liesbeth Witters, Nadine Collaert, Sonja Sioncke, Niamh Waldron, Alireza Alian, D. Linten, Laura Nyns, Guido Groeseneken, A. Vais, M.M. Heyns, B. Kaczer, J. Franco, Aaron Thean, Jerome Mitard
Publikováno v:
MRS Advances. 1:3329-3340
We present a review of our recent studies of Bias Temperature Instability (BTI) in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (MOSFETs) fabricated with different material systems, highlighting the reliability opportunities and challenges of e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07e6a51548462accbe5acc43644bf44e
https://doi.org/10.1557/adv.2016.387
https://doi.org/10.1557/adv.2016.387
Autor:
Hassan Mostafa
Publikováno v:
MOCAST
Sub-micron CMOS Technology scaling imposes several challenges on the designers, especially for high speed applications, such as reliability and variability. Inserting an Adaptive Body Bias on-Chip (ABBoC) to monitor the variations of the threshold vo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd17331af23aa3431dd1c94ec5788451
https://doi.org/10.1109/mocast.2018.8376627
https://doi.org/10.1109/mocast.2018.8376627