3-D electrothermal simulation of active cycling on smart power MOSFETs during short-circuit and UIS conditions

Autor: Riccio, Michele, d’Alessandro, Vincenzo, Irace, Andrea, Rostaing, Gilles, Berkani, Mounira, Lefebvre, Stéphane, Dupuy, Philippe

Publikováno v: In Microelectronics Reliability September-October 2014 54(9-10):1845-1850

Construction d'un modèle réduit PGD pour l'étude de la fissuration thermo-mécanique des modules de puissance

Autor: Schuler, Louis, Chamoin, Ludovic, Khatir, Zoubir, Berkani, Mounira, Ouhab, Merouane, Degrenne, Nicolas

Au sein d’un module de puissance, les contraintes thermiques peuvent induire une propagation de fissure. Cette fissure augmente la résistance thermique de la structure, en limitant fortement le flux de chaleur traversant les lèvres de la fissure.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10369::05e8ddc07979c0df4d0588ce2169c09f
https://hal.science/hal-03717595

Condition monitoring and evaluation of Ron degradation during power cycling of SiC-Mosfets power modules

Autor: Ibrahim, Ali, Khatir, Zoubir, Bouarroudj-Berkani, Mounira

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e988433eb491439d9d6e84ba1d7b0ee7
https://hal.science/hal-03656145

Experimental And Numerical Characterization Of PCB-Embedded Power Dies Using Solderless Pressed Metal Foam

Autor: BENSEBAA, Said, Bouarroudj-Berkani, Mounira, Berkani, Mounira, Lefebvre, Stéphane, Petit, Mickael, Schmitt, Nicolas

Publikováno v: 2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe)
2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe), Sep 2020, Lyon, France. pp.1-10, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215758⟩

A new process of embedding power die on PCB is presented which consists on removing wire bonding and solder and using only a pressed metal foam to connect the top and bottom sides of the die. First, the manufacturing process is described. Then the ef

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::feee8ed54839dee9a472e5f3de41c4a9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03020850

Analyse du vieillissement de la métallisation d'un MOSFET par la distribution du potentiel de source

Autor: Ruffilli, Roberta, Berkani, Mounira, Rostaing, Gilles, Legros, Marc, Lefebvre, Stéphane, Dupuy, Philippe

Publikováno v: Symposium de Genie Electrique
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France

International audience; La reconstruction de la couche de métallisation est l'un des mécanismes de dégradation le plus observé dans les composants électroniques de puissance de type smart power soumis à des contraintes thermiques sévères tell

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b1d72ede939c7a6678f404436766ac88
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361625/document