Zobrazeno 1 - 10
of 783
pro vyhledávání: '"belt field"'
Autor:
Chattopadhyay, Manabendu
Publikováno v:
Economic and Political Weekly, 1983 Jun . 18(26), A71-A79.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/4372252
Autor:
Tian, Lixin, Tian, Ruihua
Publikováno v:
In Nonlinear Analysis: Real World Applications 2008 9(3):912-919
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics. 18:15760-15764
This study demonstrated the exfoliation of a two-dimensional (2D) β-Ga2O3 nano-belt and subsequent processing into a thin film transistor structure. This mechanical exfoliation and transfer method produces β-Ga2O3 nano-belts with a pristine surface
Autor:
Lixin Tian, Ruihua Tian
Publikováno v:
Nonlinear Analysis: Real World Applications. 9:912-919
This paper aims at presenting a proof of the existence of the attractor for the two-dimensional weakly damped KdV equations in belt field. By using the Bourgain spaces and the orthogonal projection, we prove the existence of the attractor for the red
Publikováno v:
Aquatic Geochemistry. 15:391-419
Light-induced reduction of dissolved and particulate Fe(III) has been observed to occur in the surface waters of the acidic mine pit lake of San Telmo (143,600 m2, pH 2.8, Fetotal = 2.72 mM). This photochemical production of Fe(II) is directly relate
Autor:
Shihyun Ahn1, Fan Ren1, Janghyuk Kim2, Sooyeoun Oh2, Jihyun Kim2, Mastro, Michael A.3, Pearton, S. J.4
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 8/8/2016, Vol. 109 Issue 6, p062102-1-062102-4. 4p. 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph.
Autor:
Sooyeoun Oh, Janghyuk Kim, Jihyun Kim, Steve Pearton, Fan Ren, Shihyun Ahn, Michael A. Mastro
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 109:062102
Field effect transistors (FETs) using SiO2 and Al2O3 as the gate oxides for the back and front sides, respectively, were fabricated on exfoliated two-dimensional (2D) β-Ga2O3 nano-belts transferred to a SiO2/Si substrate. The mechanical exfoliation