Zobrazeno 1 - 10
of 4 425
pro vyhledávání: '"band offset"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-10 (2024)
Abstract The h-BN/diamond mix-dimensional heterostructure has broad application prospects in the fields of optoelectronic devices and power electronic devices. In this paper, the electronic properties and band offsets of hexagonal boron nitride (h-BN
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e851d173d6e64622b4b18428ad8da3d8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nasrin Akter, Tanvir Ahmed, Imdadul Haque, Md Kamal Hossain, Gorungo Ray, Md Mufazzal Hossain, Md Sagirul Islam, Md Aftab Ali shaikh, Umme Sarmeen Akhtar
Publikováno v:
Heliyon, Vol 10, Iss 10, Pp e30802- (2024)
ZnO–Cu2O composites were made as photocatalysts in a range of different amounts using an easy, cheap, and environment-friendly coprecipitation method due to their superior visible light activity to remove pollutants from the surrounding atmosphere.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e089a56a50874222991caeed78926b4b
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 16, Iss 6, Pp 1-10 (2024)
This work elucidates the intricate interplay between the structural complexity of double absorber layered perovskite solar cells and the presence of defects, offering crucial insights for advancing the field of photovoltaics. The study systematically
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1972dd6bdc044c09882cde6ff6be70d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Next Materials, Vol 2, Iss , Pp 100068- (2024)
Tandem solar cells have the potential to surpass conventional single-junction photovoltaics by harnessing a wider range of the solar spectrum and reducing losses caused by thermalization and transmission. This study examines the performance of a kest
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/325e88fb6f4b4ad8981554b39c4e0870
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 512 (2024)
In this study, the electrical performance and bias stability of InSnO/a-InGaZnO (ITO/a-IGZO) heterojunction thin-film transistors (TFTs) are investigated. Compared to a-IGZO TFTs, the mobility (µFE) and bias stability of ITO/a-IGZO heterojunction TF
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6641f13d879d487e9b5460913ef64d5a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.