Zobrazeno 1 - 10
of 41 358
pro vyhledávání: '"band offset"'
Autor:
Qu, Yipu1 (AUTHOR) ieypqu@zzu.edu.cn, Xu, Hang1 (AUTHOR), Hu, Jiping1 (AUTHOR), Wang, Fang1,2,3,4 (AUTHOR) iefwang@zzu.edu.cn, Liu, Yuhuai1,2,3,4 (AUTHOR) ieyhliu@zzu.edu.cn
Publikováno v:
Scientific Reports. 4/24/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-10. 10p.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 January 2025 1010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
InterMat: Accelerating Band Offset Prediction in Semiconductor Interfaces with DFT and Deep Learning
Autor:
Choudhary, Kamal, Garrity, Kevin
We introduce a computational framework (InterMat) to predict band offsets of semiconductor interfaces using density functional theory (DFT) and graph neural networks (GNN). As a first step, we benchmark OptB88vdW generalized gradient approximation (G
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.02021
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-10 (2024)
Abstract The h-BN/diamond mix-dimensional heterostructure has broad application prospects in the fields of optoelectronic devices and power electronic devices. In this paper, the electronic properties and band offsets of hexagonal boron nitride (h-BN
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e851d173d6e64622b4b18428ad8da3d8
Autor:
Ness, H., Corsetti, F., Pashov, D., Verstichel, B., Winkler, G. W., van Schilfgaarde, M., Lutchyn, R. M.
Publikováno v:
Physical Review B 110, 195301 (2024)
The electronic structure of surfaces and interfaces plays a key role in the properties of quantum devices. Here, we study the electronic structure of realistic Al/InAs/Al heterojunctions using a combination of density functional theory (DFT) with hyb
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.17809
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.