Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"and implantable rectenna circuits."'
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 20, Iss 3, Pp 1-11 (2024)
This work presents an analysis and design of the two barrier-quantum well asymmetric spacer tunnel layer (QW-ASPAT) diodes for implantable rectenna circuits application. The RF and DC characteristic of a 10×10μm2 QW-ASPAT devices based on GaAs and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92c18451e2f04c0c951c5d36c954f3c9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.